FLASH存儲器
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| 圖片 | 原廠型號 | 品牌 | 描述 | 庫存 | 參考價格 | 存儲器類型 | 存儲器格式 | 技術 | 存儲容量 | 時鐘頻率（Max） | 寫周期時間-字，頁 | 工作電壓（范圍） | 工作溫度 | 安裝類型 | 封裝/外殼 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AT45DB081E-SSHN-T | Adesto Technologies | 8 Mbit 數據閃存（帶額外的 256 Kbits），最小 1.7V SPI 串行閃存存儲器 數據手冊12 | 東莞倉現貨：30 長沙倉現貨：0 | ￥37.95 購買 | NonVolatile | 閃存 | - | 8Mb | 85MHz | 8μs，4ms | 1.7V~3.6V | -40~+85℃ | SMT | SOIC8_150MIL |
 | W25Q80DVSSIGTR | Winbond 華邦 | 3V 8M 位串行閃存，帶雙通道和四通道 SPI 數據手冊 | 東莞倉現貨：593 長沙倉現貨：0 | ￥2.055 購買 | NonVolatile | FLASH | FLASH-NOR | 8Mb | 104MHz | 3ms | 2.7V~3.6V | -40~+85℃ | SMT | SOIC8_208MIL |
 | MX25V4035FM1I | MXIC 旺宏電子 | 2.3V-3.6V，4M 位 [x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO? （串行多 I/O） 閃存 數據手冊 | 東莞倉現貨：30 長沙倉現貨：0 | ￥2.06 購買 | NonVolatile | FLASH | FLASH - NOR | 4 (512K x 8)MB | 108MHz | - | 2.3 ~3.6V | -40~+85℃ | SMT | SOP8_150MIL |
 | MKDV8GIL-AS | MK 米客方德 | 存儲器類型：Non-Volatile 存儲器構架(格式)：FLASH 技術：NAND Flash 存儲器容量：8Gb 時鐘頻率：50MHz 存儲器接口類型：SD2.0 SD NAND,8Gbit(1GB) -40°C to +85°C 數據手冊 | 東莞倉現貨：79 長沙倉現貨：0 | ￥35.8999 購買 | FLASH | FLASH | FLASH-NAND | 8GB | 50MHz | - | 2.7V~3.6V | -40~+85℃ | SMT | LGA-8 |
| MX25L4006EM1I-12G | MXIC 旺宏電子 | IC FLASH 4MBIT SPI 86MHZ 8SOP 數據手冊 | 東莞倉現貨：7 長沙倉現貨：96 | ￥1.7177 購買 | NonVolatile | FLASH | FLASH - NOR | 4 (512K x 8)MB | 86MHz | 50μs，3ms | 2.7V~3.6V | -40~+85℃ | SMT | SOP8 |
 爆款 | AT45DB041E-SHN-T | Adesto Technologies | 4-Mbit(500K x 8bit)，SPI接口，工作電壓：1.65V to 3.6V 數據手冊12 | 東莞倉現貨：1720 長沙倉現貨：2000 |
折后價：￥4.65595 購買 | NonVolatile | 閃存 | - | 4Mb | 85MHz | 8μs，3ms | 1.65V~3.6V | -40~+85℃ | SMT | SOIC8_208MIL |
 | GD25Q40CTIG | Gigadevice 兆易創新 | 存儲器類型：Non-Volatile 存儲器構架(格式)：FLASH 存儲器容量：4Mb (512K x 8) 存儲器接口類型：SPI - Dual/Quad I/O 4-Mbit(512K x8bit)，SPI，Dual SPI，Quad SPI，120MHz，電壓：2.7V to 3.6V 數據手冊 | 東莞倉現貨：34 長沙倉現貨：0 | ￥1.84 購買 | NonVolatile | FLASH | FLASH | 4Mb | 120MHz | - | 2.7V~3.6V | -40~+85℃ | SMT | SOP8_150MIL |
 | GD25Q128ESIG | Gigadevice 兆易創新 | FLASH存儲器 3V, 4KB 128Mbit 數據手冊 | 東莞倉現貨：427 長沙倉現貨：950 | ￥4.1745 購買 | FLASH | - | FLASH | 128Mb | - | - | 2.7V~3.6V | -40~+85℃ | SMT | SOP8_208MIL |
 | W25Q32JWBYIQ | Winbond 華邦 | 1.8 v 32位 串行快閃存儲器 雙核,四SPI 數據手冊 | 東莞倉現貨：100 長沙倉現貨：0 | ￥4.368 購買 | FLASH | 閃存 | EPROM - OTP | 100kb | 133MHz | 45ns | 1.7V~1.95V | -40~+85℃ | SMT | WLCSP12 |
 | W25Q16JVUXIQ | Winbond 華邦 | 3V 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI 數據手冊 | 東莞倉現貨：35 長沙倉現貨：0 | ￥7.004 購買 | FLASH | FLASH | FLASH - NOR | 16Mb | 133MHz | - | 2.7V~3.6V | -40~+85℃ | SMT | USON8_2X3MM |
 | W25X40CLSNIGTR | Winbond 華邦 | IC 閃存 4MBIT SPI 104MHZ SOIC8 數據手冊 | 東莞倉現貨：60 長沙倉現貨：0 | ￥4.1954 購買 | NonVolatile | FLASH | FLASH | 4(512Kx8)MB | 104MHz | 800μs | 2.3V~3.6V | -40~+85℃ | SMT | SOIC8_150MIL |
 | W25Q16JVSSIQTR | Winbond 華邦 | 3V 16M位串行閃存，帶雙通道/四通道SPI接口 數據手冊 | 東莞倉現貨：933 長沙倉現貨：0 | ￥1.8616 購買 | NonVolatile | FLASH | FLASH-NOR | 16(2Mx8)MB | 133MHz | 3ms | 2.7V~3.6V | -40~+85℃ | SMT | SOIC8_208MIL |
 | MX25L25635FMI-10G | MXIC 旺宏電子 | 256-Mbit(256M x 1/128M x 2/64M x 4)，SPI接口，工作電壓：2.7V to 3.6V 數據手冊 | 東莞倉現貨：53 長沙倉現貨：0 | ￥18.7175 購買 | NonVolatile | FLASH | FLASH - NOR | 256 (32M x 8)MB | 104MHz | 30μs，3ms | 2.7 ~ 3.6V | -40~+85℃ | SMT | SOP16_300MIL |
 | W25Q64FWBYIG | Winbond 華邦 | 1.8 v 64位 串行快閃存儲器 雙/四spi和qpi 數據手冊 | 東莞倉現貨：93 長沙倉現貨：0 | ￥5.047 購買 | FLASH | FLASH | FLASH | 4(512x8)KB | 104MHz | 8ns | 1.65V~1.95V | -40~+85℃ | SMT | WLCSP16 |
 | W25Q32JVSSIQ | Winbond 華邦 | 3V 32M位串行閃存，帶雙通道、四通道SPI 數據手冊 | 東莞倉現貨：569 長沙倉現貨：5550 | ￥1.9467 購買 | NonVolatile | FLASH | FLASH - NOR | 32 (4M x 8)MB | 133MHz | 3ms | 2.7V~3.6V | -40~+85℃ | SMT | SOIC8_208MIL |
 | W25Q128JVFIQ | Winbond 華邦 | IC FLASH 128MBIT 104MHZ 16SOIC 數據手冊 | 東莞倉現貨：796 長沙倉現貨：1059 | ￥4.7169 購買 | 非易失 | 閃存 | FLASH-NOR | 128Mb（16Mx8） | 133MHz | - | 2.7V~3.6V | -40°C~85°C（TA） | 表面貼裝(SMT) | 16-SOIC（0.295"，7.50mm寬） |
 | AT45DB321E-SHF-T | Adesto Technologies | 32-Mbit(4M x 8bit)，SPI接口，工作電壓：2.3V to 3.6V 數據手冊12 | 東莞倉現貨：50 長沙倉現貨：0 | ￥36.96 購買 | NonVolatile | 閃存 | FLASH | 32Mb | 85MHz | 8μs，4ms | 2.3V~3.6V | -40~+85℃ | SMT | SOIC8_208MIL |
 | MX25L3206EM2I-12G | MXIC 旺宏電子 | 32-Mbit(32M x 1bit/16M x 2bit,4Mx8)，SPI接口，工作電壓：2.7V to 3.6V 數據手冊 | 東莞倉現貨：94 長沙倉現貨：0 | ￥3.6828 購買 | NonVolatile | FLASH | FLASH - NOR | 32 (4M x 8)MB | 86MHz | 50μs，3ms | 2.7V~3.6V | -40~+85℃ | SMT | SOP8_208MIL |
 | EN25QH64A-104HIP | ESMT 晶豪科技 | 64 兆位 3V 串行閃存，帶 4KB 統一扇區 數據手冊 | 東莞倉現貨：10 長沙倉現貨：0 | ￥4.4 購買 | FLASH | FLASH | FLASH | 64Mb | 83MHz | - | 2.7V~3.6V | -40~+85℃ | SMT | SOP8_208MIL |
 | MX25L12835FM2I-10G | MXIC 旺宏電子 | 3V 128M位[x1/x2/x4]CMOS MXSMIO?（串行多I/O）閃存 數據手冊 | 東莞倉現貨：189 長沙倉現貨：0 | ￥7.1 購買 | NonVolatile | FLASH | FLASH - NOR | 128 (16M x 8)MB | 104MHz | 30μs，1.5ms | 2.7V~3.6V | -40~+85℃ | SMT | SOP8_208MIL |
 | MKDV4GIL-AS | MK 米客方德 | 4Gb(512MB) SD NAND -40°Cto+85°C 工業級 數據手冊 | 東莞倉現貨：465 長沙倉現貨：0 | ￥19.5001 購買 | NonVolatile | FLASH | FLASH-NAND | 4(512Mx8)GB | 50MHz | - | 2.7V~3.6V | -40~+85℃ | SMT | LGA8_8X6MM |
 | AX20NV4G821TAI101 | Axia 愛思 | Axia Memory Technology的AX20NV1Gx是一款3.0V 1 Gbit NAND閃存，組織為2112字節×64頁×1024個塊。所有讀取和程序操作均使用2112字節寄存器執行;允許以 2112 字節為增量將數據傳入和傳出內存陣列。擦除操作在單個塊單元中實現（2112 字節× 64 頁）。ECC 是提高數據可靠性所必需的。 數據手冊 | 東莞倉現貨：6 長沙倉現貨：0 | ￥13.6448 購買 | FLASH | - | FLASH | 4(512Mx8)GB | 50MHz | - | 2.7~3.6V | -40~+85℃ | SMT | TSOP48_18.4X12MM |
 | AX20NV4G821BAI101 | Axia 愛思 | Axia Memory Technology的AX20NV1Gx是一款3.0V 1 Gbit NAND閃存，組織為2112字節×64頁×1024個塊。所有讀取和程序操作均使用2112字節寄存器執行;允許以 2112 字節為增量將數據傳入和傳出內存陣列。擦除操作在單個塊單元中實現（2112 字節× 64 頁）。ECC 是提高數據可靠性所必需的。 數據手冊 | 東莞倉現貨：10 長沙倉現貨：0 | ￥13.0515 購買 | FLASH | - | FLASH | 4(512Mx8)GB | 50MHz | - | 2.7~3.6V | -40~+85℃ | SMT | FBGA-63_11X9MM |
 | AX20NV1G811BAI101 | Axia 愛思 | Axia Memory Technology的AX20NV1Gx是一款3.0V 1 Gbit NAND閃存，組織為2112字節×64頁×1024個塊。所有讀取和程序操作均使用2112字節寄存器執行;允許以 2112 字節為增量將數據傳入和傳出內存陣列。擦除操作在單個塊單元中實現（2112 字節× 64 頁）。ECC 是提高數據可靠性所必需的。 數據手冊 | 東莞倉現貨：10 長沙倉現貨：0 | ￥5.2206 購買 | FLASH | - | FLASH | 1(128Mx8)GB | 40MHz | - | 2.7~3.6V | -40~+85℃ | SMT | FBGA-63_11X9MM |
 | AT45DB161E-SSHD-T | Adesto Technologies | 16Mbs 數據閃存（帶額外 512 Kbits），最小值為 2.3V 或 2.5VSPI 串行閃存 數據手冊12 | 東莞倉現貨：500 長沙倉現貨：0 | ￥11.33 購買 | NonVolatile | 閃存 | - | 16Mb | 85MHz | 8μs，4ms | 2.5V~3.6V | -40~+85℃ | SMT | SOIC8_150MIL |
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